PRODUCT CENTER
产品中心
漏源电压BV DSS (V)(Min.)： | 650 |
导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 70 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 74 |
最大漏极电流Id(on)(A)： | 47 |
通道极（jí）性（xìng）： | N沟道 |
封装/温（wēn）度(℃)： | TO-220F-3L/-55~125 |
描述（shù）： | 650V,74mΩ,47A,N沟（gōu）道基于超（chāo）级结技术的（de）功率MOSFET |
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