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产品中（zhōng）心（xīn）
漏源电压BV DSS (V)(Min.)： | 650 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 170 |
导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 190 |
最（zuì）大漏（lòu）极电流Id(on)(A)： | 20 |
通道极（jí）性： | N沟道 |
封装/温度（dù）(℃)： | PDFN8*8/-55~125 |
描述（shù）： | 650V,190mΩ,20A,N沟（gōu）道基于超（chāo）级结（jié）技（jì）术的功（gōng）率MOSFET |
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