
PRODUCT CENTER
产品(pǐn)中心
漏源电压BV DSS (V)(Min.): | 600 |
导(dǎo)通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 110 |
导通电(diàn)阻rDS(on)(mΩ)(Max.): | 130 |
最大(dà)漏极电流Id(on)(A): | 30 |
通道极性: | N沟道 |
封(fēng)装/温度(℃): | TO-247-3L/-55~125 |
描述(shù): | 600V,130mΩ,30A,N沟道(dào)基于(yú)超级(jí)结(jié)技术的功率MOSFET |
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