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产（chǎn）品中（zhōng）心
漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)： | 650 |
导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 170 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 190 |
最大（dà）漏极电流Id(on)(A)： | 20 |
通（tōng）道极性： | N沟道（dào） |
封装/温度(℃)： | TO-252-3L/-55~125 |
描述： | 650V,190mΩ,20A,N沟道基于超级结技术（shù）的功（gōng）率MOSFET |
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