PRODUCT CENTER
产品中心（xīn）
漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)： | 600 |
导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 115 |
导通（tōng）电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 150 |
最大漏极电流Id(on)(A)： | 24 |
通道极性： | N沟道 |
封装/温度(℃)： | TO-220F-3L/-55~125 |
描述（shù）： | 600V,150mΩ,24A,N沟道基于超级结技术（shù）的功率MOSFET |
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