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产品中（zhōng）心
漏源电压BV DSS (V)(Min.)： | 700 |
导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 320 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 400 |
最（zuì）大漏（lòu）极电流Id(on)(A)： | 15 |
驱动电压(V)： | 10 |
通（tōng）道极性： | N沟道 |
封装（zhuāng）/温度（dù）(℃)： | TO-220F-3/-55~125 |
描（miáo）述（shù）： | 700V,400mΩ,15A,N沟道（dào）基于超级结技术的功率MOSFET |
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