PRODUCT CENTER
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漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)： | 600 |
导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 75 |
导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 90 |
最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)： | 40 |
通道极性： | N沟道 |
封装/温（wēn）度(℃)： | TO-220F-3L/-55~125 |
描述（shù）： | 600V,90mΩ,40A,N沟道（dào）基于超（chāo）级（jí）结技（jì）术的功（gōng）率MOSFET |
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