PRODUCT CENTER
产品中心（xīn）
漏源电压BV DSS (V)(Min.)： | 600 |
导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)： | 100 |
导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)： | 125 |
最大漏极电流Id(on)(A)： | 30 |
通（tōng）道（dào）极性： | N沟道 |
封装/温度(℃)： | TO-247-3L/-55~125 |
描述： | 600V,125mΩ,30A,N沟道基（jī）于超级结技术（shù）的功率MOSFET |
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